压电双晶片由多层压电陶瓷共烧而成,可独立控制每层陶瓷的驱动电压。压电双晶片的自由端可以弯曲产生位移,位移的幅度和方向与施加的电压具有函数关系。产品规格与性能参数对标国际先进公司水平，目前已实现批量化生产。
通用外形尺寸，单位:mm
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单位 |
公差 |
PAA-B20-08W |
PAA-B32-08W |
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运动轴 |
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Z |
Z |
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最大位移 |
μm |
±15% |
±135 |
±450 |
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迟滞 |
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<15% |
<15% |
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负载 |
N |
最大值 |
1.4 |
1.5 |
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电气性能 |
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驱动电压 |
V |
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0-150 |
0-150 |
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谐振频率 |
Hz |
最大值 |
930 |
350 |
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介电损耗 |
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<2.0% |
<2.0% |
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电容 |
nF |
±15% |
145/单侧 |
550/单侧 |
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其他 |
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工作温度范围 |
°C |
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-25~130 |
-25~130 |
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电极 |
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银/Silver |
银/Silver |
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电缆长度 |
mm |
±5mm |
75 |
75 |
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居里温度 |
°C |
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230 |
230 |
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外观尺寸 |
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A |
mm |
±0.5mm |
20 |
32 |
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B |
mm |
±0.1mm |
8 |
7.8 |
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L |
mm |
±0.1mm |
0.8 |
0.8 |
| * 位移测试：驱动电压0~150V，公差±20% |
| ** 推力测试：驱动电压0~150V |
| *** 电容测试条件：常温环境，1Vpp，1kHz，公差±20% |
| 标准线束，长度75mm，AWG32，PTFE绝缘 |
| 可提供预装基板版本，产品型号加S |
| 其他规格可根据客户需求进行定制 |
